化學氣相蒸鍍法是將構(gòu)成鍍膜元素的一種或幾種化合物、單質(zhì)氣體供給基材，借助氣相作用或在基材表面的化學反應生成要求的薄膜。CVD反應機理為首先反應物質(zhì)到達基材表面，緊接著反應氣體分子被基材表面吸附，并在基材表面上產(chǎn)生化學反應、形核，生成物在基材表面擴散成膜。

普通氣體分子是電中性的物質(zhì)，顯示出絕緣性。但在電離狀態(tài)下氣體分子產(chǎn)生大量電子和正負離子，成為導電性的電離氣體。在電離氣體中正電核和負電核相互發(fā)生激烈的作用，結(jié)果正電荷密度和負電荷密度幾乎相等，成為電中性狀態(tài)，這種狀態(tài)即所謂等離子氣體。當對低壓容器中的氣體加上電場時，存在于氣體中的極少數(shù)電子被加速，在低壓下其平均自由程大，很容易被加至高速，與中性原子或分子碰撞，失去能量。如碰撞是彈性的，則中性原子或分子的動能增加，氣體溫度上升；如為非彈性碰撞，則原子和分子發(fā)生激化、離解及電離化，結(jié)果產(chǎn)生許多不同離子和原子團。這些粒子均是化學活性的，可生成新粒子并參與反應。新生的電子又被加速，與其它原子、分子碰撞，重復進行，氣體急速電離，形成等離子體狀態(tài)。

等離子氣體能促進化學反應的作用原理是原料氣體成為等離子狀態(tài)后，變?yōu)榛瘜W上非?；顫姷募ぐl(fā)態(tài)分子、原子、離子和原子團，使原來反應速度較慢的化學反應變得更為容易和快速。因而利用PECVD可以在較低的溫度下制出良好的薄膜，熱損失少，抑制了基材的變化，可在非耐熱基材上成膜。從熱力學上講，在反應雖能發(fā)生或可能發(fā)生但速度緩慢的情況下，借助等離子體激發(fā)狀態(tài)，可促進反應，從而可以開發(fā)出平衡狀態(tài)下不能形成的組成比結(jié)構(gòu)新材料。

為了比較不同氧化物鍍膜后獲得的材料的阻隔性能，在實驗室我們探索了各種鍍膜技術方法對最終產(chǎn)品質(zhì)量的影響，發(fā)現(xiàn)在同一蒸鍍條件下不同原料、不同蒸鍍方法對非金屬鍍膜微波食品包裝材料的阻隔性能影響最為明顯。復合蒸鍍SiO鍍膜具有優(yōu)良的阻隔性能，但鍍膜在大氣環(huán)境中不太穩(wěn)定。根據(jù)一切自由化學反應都是朝吉布斯自由能降低方向進行的原理，SiO趨向生成自由能更低的SiO2。影響非金屬真空鍍膜材料阻隔性能的因素還有基材的表面處理、真空度、蒸鍍速度等，但最重要的還是蒸鍍原料與方法，并且具有相同的規(guī)律性。